HMC278MS8G

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HMC278MS8G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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制造商
HITTITE
制造商全称
Hittite Microwave Corporation
功能描述
100 mW MEDIUM POWER GaAs MMIC AMPLIFIER, 1.7 - 3.0 GHz

HMC278MS8G 技术参数

HMC277MS8E 功能描述:RF Mixer IC General Purpose Up/Down Converter 700MHz ~ 1.2GHz 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:过期 RF 类型:通用频率:700MHz ~ 1.2GHz 混频器数:1 增益:- 噪声系数:9dB 辅助属性:升/降频器电流 - 电源:- 电压 - 电源:- 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 HMC276QS24E 功能描述:RF Switch IC Cellular, CATV 3GHz 50 Ohm, 75 Ohm 24-QSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:过期频率?- 下:700MHz 频率?- 上:3GHz 隔离 @ 频率:31dB @ 3GHz（标准）插损 @ 频率:6dB @ 3GHz IIP3:- 拓扑:吸收性电路:- P1dB:26dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆，75 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:手机，CATV 封装/外壳:24-LSSOP（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:24-QSOP 标准包装:1 HMC276LP4E 功能描述:RF Switch IC Cellular, CATV 3GHz 50 Ohm, 75 Ohm 24-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:过期频率?- 下:200MHz 频率?- 上:3GHz 隔离 @ 频率:35dB @ 3GHz（最小）插损 @ 频率:6dB @ 3GHz IIP3:- 拓扑:吸收性电路:- P1dB:26dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆，75 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:手机，CATV 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:24-QFN（4x4）标准包装:1 HMC274QS16ETR 功能描述:RF Attenuator 1dB ~ 31dB 700MHz ~ 2.7GHz 50 Ohm 16-SSOP (0.154", 3.90mm Width) 制造商:analog devices inc. 系列:- 零件状态:过期衰减值:1dB ~ 31dB 容差:- 频率范围:700MHz ~ 2.7GHz 功率（W）:- 阻抗:50 欧姆封装/外壳:16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 HMC273MS10GETR 功能描述:RF Attenuator 1dB ~ 31dB 700MHz ~ 3.8GHz 50 Ohm 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 制造商:analog devices inc. 系列:- 零件状态:过期衰减值:1dB ~ 31dB 容差:- 频率范围:700MHz ~ 3.8GHz 功率（W）:- 阻抗:50 欧姆封装/外壳:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘标准包装:1 HMC288MS8ETR HMC28DRAH HMC28DRAH-S734 HMC28DRAI HMC28DRAI-S734 HMC28DRAN HMC28DRAN-S734 HMC28DRAS HMC28DRAS-S734 HMC28DREF HMC28DREF-S13 HMC28DREF-S734 HMC28DREH HMC28DREH-S13 HMC28DREH-S734 HMC28DREH-S93 HMC28DREI HMC28DREI-S13