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CSD95372BQ5M

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功能描述
IC SYNC BUCK NEXFET 12SON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
输出配置
半桥
应用
同步降压转换器
接口
PWM
负载类型
电感
技术
功率 MOSFET
导通电阻（典型值）
-
电流 - 输出/通道
60A
电流 - 峰值输出
90A
电压 - 电源
4.5 V ~ 5.5 V
电压 - 负载
4.5 V ~ 16 V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
特性
自举电路，状态标志
故障保护
限流，超温，击穿，短路，UVLO
安装类型
表面贴装
封装/外壳
12-Power LFDFN
供应商器件封装
12-LSON（5x6）
标准包装
1

CSD95372BQ5M 技术参数

CSD95372AQ5M 制造商:Texas Instruments 功能描述:MCM W/LITHIUM2 AND GEN2.1 FETS - Tape and Reel 制造商:Texas Instruments 功能描述:Synchronous Buck Power Stage 12-Pin SON EP T/R 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC SYNC BUCK NEXFET 12SON 制造商:Texas Instruments 功能描述:mcm w/lithium2 and Gen2.1 FETS CSD88599Q5DCT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4840pF @ 30V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:22-PowerTFDFN 供应商器件封装:22-VSON-CLIP (5x6) 标准包装:1 CSD88584Q5DCT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12400pF @ 20V 功率 - 最大值:12W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:22-PowerTFDFN 供应商器件封装:22-VSON-CLIP (5x6) 标准包装:1 CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT CSD95491Q5MC CSD95491Q5MCT CSD95492QVM CSD95492QVMT