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CSD87330Q3D MOS(场效应管)

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  • CSD87330Q3D MOS(场效应管)
    CSD87330Q3D MOS(场效应管)

    CSD87330Q3D MOS(场效应管)

    优势
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 8000

  • TI/德州仪器

  • LSON8

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  • 原装现货实单支持

  • CSD87330Q3D MOS(场效应管)
    CSD87330Q3D MOS(场效应管)

    CSD87330Q3D MOS(场效应管)

  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • TI/德州仪器

  • LSON8

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CSD87330Q3D MOS(场效应管) 技术参数
  • CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON(3.3x3.3) 标准包装:1 CSD87313DMST 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):28nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4290pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-WSON(3.3x3.3) 标准包装:1 CSD87312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2?N 沟道(双)共源 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 7A,8V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(3.3x3.3) 标准包装:1 CSD86360Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2060pF @ 12.5 功率 - 最大值:13W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON(5x6) 标准包装:1 CSD86350Q5DEVM-604 功能描述:CSD86350Q NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:有效 主要用途:DC/DC,步降 输出和类型:1,非隔离 功率 - 输出:- 电压 - 输出:1.2V 电流 - 输出:25A 电压 - 输入:8 V ~ 13 V 稳压器拓扑:降压 频率 - 开关:290kHz 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:CSD86350Q 标准包装:1 CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N
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