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CSD17575Q3 其他被动元件

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CSD17575Q3 其他被动元件 技术参数
  • CSD17575Q3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4420pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17573Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):64nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9000pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),195W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 毫欧 @ 35A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-VSON-CLIP(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD17573Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):64nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9000pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17571Q2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):468pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-SON(2x2) 标准包装:1 CSD17570Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):0.69 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):121nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON(5x6) 标准包装:1 CSD17578Q5A CSD17578Q5AT CSD17579Q3A CSD17579Q3AT CSD17579Q5A CSD17579Q5AT CSD17581Q3A CSD17581Q3AT CSD17581Q5A CSD17581Q5AT CSD17585F5 CSD17585F5T CSD18501Q5A CSD18502KCS CSD18502Q5B CSD18502Q5BT CSD18503KCS CSD18503Q5A
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