BSS16

配单专家企业名单

型号
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封装
批号
价格
说明
操作

BSS169H6327XTSA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
INFINEON
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

BSS169H6327XTSA1
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
500
INFINEON
SOT23
-
只做原装正品现货价格优势 QQ咨询

BSS169H6327
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3905
INFINEON
SOT23
2229+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSS169
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4612
INFINEON
SOT-23
2234+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSS169H6327XTSA1
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
500
INFINEON
SMD
19+
-
进口原装公司现货库存

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BSS16 技术参数

BSS159NL6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS159NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS159NH6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS159NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:39pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS159NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS192PE6327T BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 BSS192PL6327HTSA1 BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1