BSP170P

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说明
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BSP170P
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3983
INENOI
SOT223
2216+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BSP170PH6327
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
111607
INF
ORIGONAL
16+
-
0.19942 USD,szpoweri...

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-Channel 60V 1.9A SOT223

BSP170P 技术参数

BSP16T1G 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:15MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP16T1 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:15MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1,000 BSP149L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP149L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP149H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 660mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1