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BZT52C3V6S-7-F,74HC244A,RD6.8M-T2B,BC858

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BZT52C3V6S-7-F,74HC244A,RD6.8M-T2B,BC858 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
BZT52C3V6S-7-F,74HC244A,RD6.8M-T2B,BC858 技术参数
  • BZT52C3V6S-7-F 功能描述:Zener Diode 3.6V 200mW ±6% Surface Mount SOD-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BZT52C3V6S-7 功能描述:Zener Diode 3.6V 200mW ±6% Surface Mount SOD-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BZT52C3V6S RRG 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4.5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZT52C3V6LP-7 功能描述:Zener Diode 3.6V 250mW ±6% Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-UFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006（1.0x0.6） 标准包装:1 BZT52C3V6K RKG 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZT52C3V9-7-F BZT52C3V9-E3-08 BZT52C3V9-E3-18 BZT52C3V9-G RHG BZT52C3V9-G3-08 BZT52C3V9-G3-18 BZT52C3V9-HE3-08 BZT52C3V9-HE3-18 BZT52-C3V9J BZT52C3V9K RKG BZT52C3V9LP-7 BZT52C3V9S RRG BZT52C3V9S-7 BZT52C3V9S-7-F BZT52C3V9S-TP BZT52C3V9T-7 BZT52C3V9-TP BZT52C3V9T-TP
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