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BUK127-50DL MOS(场效应管)

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BUK127-50DL MOS(场效应管)
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
11784
NXP/恩智浦
SOT-223
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

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BUK127-50DL MOS(场效应管) 技术参数

BUK125-50L,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK124-50L,127 功能描述:MOSFET BUK124-50L/SOT263/RAILH// RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK119-50DL,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK118-50DL,127 功能描述:MOSFET BUK118-50DL/SOT78/RAILH// RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK117-50DL,127 功能描述:MOSFET N-CH 50V 12A SOT78B RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关系列:TOPFET™ 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) BUK139-50DL,118 BUK139-50DL/C1,118 BUK148-50DL,127 BUK149-50DL,127 BUK150-50DL,127 BUK1M200-50SDLD,11 BUK1M200-50SDLD,51 BUK1M200-50SGTD,11 BUK1M200-50SGTD,51 BUK202-50Y,127 BUK204-50Y,118 BUK205-50Y,118 BUK208-50Y,127 BUK209-50Y,127 BUK210-50Y,127 BUK2114-50SYTS,118 BUK212-50Y,127 BUK213-50Y,118