配单专家企业名单

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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSP89 L6327
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
23000
INFINEON
SOT-223
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

BSP89 L6327
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
10000
INFINEON
SOT-223
22+
-
终端免费提供样品可开13%增值税发票

BSP89 L6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
SOT-223
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSP89 L6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
55550
INFINEO
SOT223
11+
-
全新原装现货

BSP89 L6327
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
1000
infineon
sot223
11+
-
进口原装现货，一定自己库存

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功能描述
MOSFET N-CH 240V 0.35A SMALL SIGNAL
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSP89 L6327 技术参数

BSP89 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BSP88L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:95pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP88H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:95pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP88E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:95pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1 BSP78HUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Power Switch Lo Side 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:HITFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC SWITCH POWER LOSIDE SOT223-4 BSPD12DING BSPD24DING BSPD24DINLHF BSPD48DING BSPD48RJ45 BSPD5BNCDD BSPD5BNCDI BSPD5BNCSI BSPD5DING BSPD5DINLHF BSPG1230WE BSPG1230WER BSPG1255NPE BSPG1255NPER BSPH2230WE BSPH2230WER BSPH2275TT BSPH2275TTR

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