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BSP60E6359
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
inf
22+
-
行业低价，代理渠道

BSP60E6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
SOT223
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

BSP60E6327
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
INFINEO
SOT223
22+
-
全新原装现货供应

BSP60E6327
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
613
INFINEO
SOT223
1139+
-
原装现货/特价

BSP60E6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
SOT223
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSP60E6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
美国/日本
原厂标准封装
0831+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSP60E6327
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
369
infineon
sot223
11+
-
进口原装现货，一定自己库存

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BSP60E 技术参数

BSP603S2LHUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1390pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:4,000 BSP60,115 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 基本零件编号:BSP60 标准包装:1 BSP52T3G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP52T3 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:4,000 BSP52T1G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BSP61E6327HTSA1 BSP61H6327XTSA1 BSP62,115 BSP62E6327HTSA1 BSP62H6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 BSP742R BSP742RI BSP742RIXUMA1 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC

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