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BSC0902NS MOS(场效应管)

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BSC0902NS MOS(场效应管)
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
11097
INFINEON/英飞凌
N/A
22+
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原装正品现货可开增值税发票

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BSC0902NS MOS(场效应管) 技术参数

BSC0902NS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 15V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC0901NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 15V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC0901NSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC0901NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:44nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC0901NS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC090N03MSGATMA1 BSC0910NDIATMA1 BSC0911NDATMA1 BSC0921NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 BSC0925NDATMA1 BSC093N04LSGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 BSC094N03S G BSC094N06LS5ATMA1 BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSTATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 BSC0993NDATMA1 BSC0996NSATMA1 BSC100N03LSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1