BFG540/X,DAN217 T146,MMBT6517LT1G,RC0201

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BFG540/X,DAN217 T146,MMBT6517LT1G,RC0201 技术参数

BFG540/X,215 功能描述:TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BFG540,215 功能描述:TRANS RF 15V 9GHZ SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BFG520W/X,115 功能描述:TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT343N 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343 反向插针供应商器件封装:4-SO 标准包装:1 BFG520W,115 功能描述:RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 500mW Surface Mount 4-SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343 反向插针供应商器件封装:4-SO 标准包装:3,000 BFG520/XR,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 300mW Surface Mount SOT-143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:SOT-143R 标准包装:10,000 BFG67,235 BFG67/X,215 BFG92A/X,215 BFG93A,215 BFG93A/X,215 BFG94,115 BFG97,115 BFG97,135 BFH 2A-12 BFH000-3A/T BFH14S1P002 BFH16S1P002 BFH181P002 BFH2040857 BFH2219P002 BFH2220P002 BFH2410P002 BFH2410PW002