BCR1/10332J

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说明
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BCR1/10332JT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
BI TECHNOLOGIES
原厂封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BCR1/10332JT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
BI TECHNOLOGIES
原厂封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BCR1/10332JT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
BITECHNOLOG
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

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BCR1/10332J 技术参数

BCR08PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR08PNH6433XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR08PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR08PNE6433HTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR08PNE6327BTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BCR108SH6433XTMA1 BCR108WE6327BTSA1 BCR108WH6327XTSA1 BCR108WH6433XTMA1 BCR10CM-12LB#BB0 BCR10CM-16LH#BB0 BCR10CS-12LBT1#BH0 BCR10CS12LBT11#B00 BCR10FM-12LB#BB0 BCR10FM-14LJ#BB0 BCR10LM-16LH-1#B00 BCR10PNB6327XT BCR10PNE6327BTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6727XTSA1 BCR10PNH6730XTMA1 BCR112E6327HTSA1 BCR112WE6327BTSA1