BC858BE6237

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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北京元坤伟业科技有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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BC858BE6237 技术参数

BC858B-7-F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC858B,235 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:在售安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 BC858B,215 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BC858 标准包装:1 BC858B RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -30V, -0.1A, 22 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BC858AWT1G 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323）标准包装:3,000 BC858BWE6327HTSA1 BC858BW-G BC858BWH6327XTSA1 BC858BWT1 BC858BWT106 BC858BWT1G BC858C BC858C RFG BC858C-7-F BC858CDW1T1 BC858CDW1T1G BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T5 BC858CDXV6T5G BC858CE6327HTSA1 BC858CE6433HTMA1 BC858C-HF BC858CLT1