BAS216,115全国供应商 BAS216,115资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BAS216,115
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
771000
PHILIPS/NXP
SOD110
2025+
-
代理商库房现货

BAS216,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
NXP
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

BAS216,115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PHA
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BAS216,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOD2
18+
-
DIODE GEN PURP 75V 2...

BAS216,115
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

BAS216,115 技术参数

BAS2103WE6433HTMA1 功能描述:Diode Standard 200V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:PG-SOD323-2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS2103WE6327HTSA1 功能描述:Diode Standard 200V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:上次购买时间二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:PG-SOD323-2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 BAS21_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 BAS21_ND87Z 功能描述:Diode Standard 250V 200mA Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS21_D87Z 功能描述:Diode Standard 250V 200mA Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS21C RFG BAS21C-TP BAS21DW5T1 BAS21DW5T1G BAS21DW-7 BAS21DWA-7 BAS21DWAQ-7 BAS21-E3-08 BAS21-E3-18 BAS21E6327HTSA1 BAS21E6359HTMA1 BAS21E6433HTMA1 BAS21-G3-08 BAS21-G3-18 BAS21GWJ BAS21GWX BAS21H,115 BAS21-HE3-08