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APT80

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  • APT8065BVR
    APT8065BVR

    APT8065BVR

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9800

  • APT

  • TO-3P

  • 18+

  • -

  • 优势库存，原装现货

  • APT8030LVFRG
    APT8030LVFRG

    APT8030LVFRG

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 300

  • APT

  • TO3PL

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品

  • APT8011JLL
    APT8011JLL

    APT8011JLL

  • 科创特电子（香港）有限公司
    科创特电子（香港）有限公司

    联系人：柯

    电话：0755-83014603

    地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主营优势

  • 19+

  • -

  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • APT8032LNR
    APT8032LNR

    APT8032LNR

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：13428937514

    地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 82

  • ADVANCED POWER TECHNOLOGI

  • 2015+

  • -

  • 公司现货！只做原装！

  • APT8015JVFR
    APT8015JVFR

    APT8015JVFR

  • 北京力通科信电子有限公司
    北京力通科信电子有限公司

    联系人：韩小姐

    电话：13661385246

    地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台

  • 4

  • Microsemi

  • N/A

  • 17+

  • -

  • 13661385246进口原装现货。最新...

APT80 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
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  • 制造商
  • EMINENCE
  • 功能描述
  • TWEETER 600W 8R
  • 制造商
  • EMINENCE
  • 功能描述
  • TWEETER, 600W, 8R
  • 制造商
  • EMINENCE
  • 功能描述
  • TWEETER, 600W, 8R; Transducer Function
APT80 技术参数
  • APT7M120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:80nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2565pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:335W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 欧姆 @ 3A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT7M120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2565pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT7F80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1335pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT7F120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2565pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT7F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L APT84M50B2 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60
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