AOTF20B65M1 MOS(场效应管)

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AOTF20B65M1 MOS(场效应管) 技术参数

AOTF20B65M1 功能描述:IGBT 650V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，20A 功率 - 最大值:45W 开关能量:470μJ（开），270μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:400V，20A，15 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:322ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF190A60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1,000 AOTF18N65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3785pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF18N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:390 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3785pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF16N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2297pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2210L AOTF22N50 AOTF22N50L AOTF240L AOTF256L AOTF25S65 AOTF2606L AOTF260L AOTF2610L AOTF2618L AOTF262L AOTF266L AOTF27S60L AOTF286L AOTF288L AOTF290L AOTF2910L AOTF2916L