AOT2916L MOS(场效应管)

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AOT2916L MOS(场效应管) 技术参数

AOT2916L 功能描述:MOSFET N CH 100V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT2910L 功能描述:MOSFET N CH 100V 6A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1190pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT290L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 140A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），140A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9550pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT2906 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:管件零件状态:停產安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 AOT2904 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:135nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7085pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:326W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 AOT404 AOT410L AOT412 AOT414 AOT416 AOT416_002 AOT416L AOT418L AOT424 AOT42S60L AOT430 AOT440 AOT460 AOT462 AOT462_001 AOT462L AOT470 AOT472