AON7452 MOS(场效应管)

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AON7452 MOS(场效应管) 技术参数

AON7452 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta），5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:310 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:185pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7450L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產标准包装:5,000 AON7450 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.6A（Ta），21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:48 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1090pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7448L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產标准包装:3,000 AON7448 功能描述:MOSFET N-CH 80V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.1A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7510 AON7514 AON7516 AON7518 AON7520 AON7522E AON7524 AON7526 AON7528 AON7532E AON7534 AON7536 AON7538 AON7544 AON7548 AON7548_101 AON7556 AON7566