AON6452 其他被动元件

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AON6452 其他被动元件技术参数

AON6452 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta），26A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 50V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6450L_001 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:在售安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6450L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:在售安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6450 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6448 功能描述:MOSFET N-CH 80V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3100pF @ 40V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6504_001 AON6506 AON6508 AON6508_101 AON6510 AON6512 AON6514 AON6516 AON6516_151 AON6518 AON6520 AON6522 AON6522_002 AON6524 AON6524_001 AON6526 AON6528 AON6530