3.3 Volt CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9 DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,096 X 9 DUAL 8,192 X 9
72V81L20PAGI 技术参数
72V81L20PA8功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:72V81L20PA功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:72V81L15PAG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Bi-Dir 512 x 9 x 2 56-Pin TSSOP T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH BI-DIR 512X9X2 56TSSOP - Tape and Reel72V81L15PAG功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:72V81L15PA8功能描述:先进先出 RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装:72V821L15TF872V821L15TFI72V821L15TFI872V821L20PF72V821L20PF872V821L20TF72V821L20TF872V825L10PF72V825L10PF872V825L15PF72V825L15PF872V825L15PFI72V825L15PFI872V825L20PF72V825L20PF872V82L15PA72V82L15PA/628072V82L15PA8
