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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5115
TE
ROHS
1302+
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原装正品，现货库存。400-800-03...

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6-493508-2 技术参数

649-33AB 功能描述:HEATINK ASSY FOR PGA 制造商:wakefield-vette 系列:* 零件状态:有效标准包装:500 6493201C 功能描述:REPLACEMENT SUMP FOR APAP12S, AP 制造商:3m 系列:* 零件状态:在售标准包装:24 6493 功能描述:OSCILLOSCOPE PROBE 150 MHZ X10 制造商:pomona electronics 系列:6493 零件状态:有效类型:无源模块衰减值:10:1 带宽:60MHz（范围）；150MHz（探针）电阻 - 输入:10M 电压 - 最大值:CAT II 300V 电容 - 输入:12.5pF 电缆长度:47.244"（1200.00mm）颜色:黑包括:适配器（BNC，接地，IC 端头），调节工具，接地引线，探针手柄，弹簧钩，端头（2），端头罩盖标准包装:1 6492 功能描述:OSCILLOSCOPE PROBE 350 MHZ X10 制造商:pomona electronics 系列:6492 零件状态:过期类型:无源模块衰减值:10:1 带宽:350MHz（系统）电阻 - 输入:10M 电压 - 最大值:CAT II 300V 电容 - 输入:12pF 电缆长度:47.244"（1200.00mm）颜色:黑包括:适配器（BNC，接地，IC 端头），调节工具，接地引线，探针手柄，弹簧钩，端头（2），端头罩盖标准包装:1 64-9146 功能描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:71nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6580pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等容 MT 供应商器件封装:DIRECTFET? MT 标准包装:1 64-9508-20 64-9508-21 64-9508-30 64-9508-31 64-9513-10 64-9513-10H 64-9513-10T 64-9513-11 64-9513-11H 64-9518-10 64-9518-10E 64-9518-10H 64-9518-10M 64-9518-10T 64-9518-10TE 64-9518-11 64-9518-11H 649-51AB