3LN01S-TL-E全国供应商 3LN01S-TL-E资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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批号
价格
说明
操作

3LN01S-TL-E
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
2800
SONYO
16+
-

3LN01S-TL-E
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5000
Sanyo
SMCP=SOT23(3k/RL)
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

3LN01S-TL-E
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
72540
SANYO
SMCP
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

3LN01S-TL-E
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
SONYO
原厂原装
1725+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

3LN01S-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SOT-423
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

3LN01S-TL-E
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
ON Semiconductor
N/A ㊣品
N/A 全新进口
-
国内授权代理分销

3LN01S-TL-E
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
3000
SANYO
SOT-523
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

3LN01S-TL-E
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9987
SANYO
SOT23/SOT323
06PB
-
绝对公司原装现货

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功能描述
MOSFET 2.5V DRIVE SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

3LN01S-TL-E 技术参数

3LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 80mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:8,000 3LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 80mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-81 供应商器件封装:SC-81（SSFP）标准包装:1 3LN01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 3LN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 80mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 / MCPH3 标准包装:1 3LN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 80mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 / MCPH3 标准包装:1 3M 1046 0.5" X 60YDS 3M 1093 1/2" X 36YD 3M 1093 3/4" X 36YD 3M 1120 0.5"SQ-250 3M 1120 0.75"SQ-250 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250

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