2N7002P

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

2N7002P
深圳市远晨电子有限公司
深圳市远晨电子有限公司
联系人：周小姐/詹小姐
电话：0755-839722581341006000718138206816
地址：深圳市福田区振兴西路101号华匀大厦1栋401室
资质：营业执照
300000
NXP
SOT-23
18+
-
原装正品现货83972258

2N7002P
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
3655
nxp
sot-23
14/13+pb
-
原装现货

2N7002P,215
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
89900
NEX
ORIGONAL
16+
-
0.01534 USD,szpoweri...

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFETN CH60V0.36ASOT23
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,60V,0.36A,SOT23
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,60V,0.36A,SOT23; Transistor Polarity

2N7002P 技术参数

2N7002MTF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 2N7002LT3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 2N7002LT3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 2N7002LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 2N7002LT1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 2N7002PW,115 2N7002T 2N7002T,215 2N7002-T1-E3 2N7002-T1-GE3 2N7002T-7 2N7002T-7-F 2N7002TA 2N7002TC 2N7002-TP 2N7002TQ-7-F 2N7002T-TP 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7