2STR1160/BKN

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2STR1160/BKN 技术参数

2STR1160 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:430mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 2STP535FP 功能描述:TRANS NPN DARL 180V 8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，4V 功率 - 最大值:37W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 2STN2550 功能描述:TRANS PNP 50V 5A SOT 223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2A，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 2STN2540-A 功能描述:TRANS PNP 40V 5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 2A，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1,000 2STN2540 功能描述:TRANS PNP 40V 5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 2A，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 2STW1695 2STW200 2STW4466 2STW4468 2STX1360 2STX2220 2SVPE1200M 2SW220M 2SW220M2.7X7.3 2SW270M 2SW270M2.9X7.3 2SW330M 2SW330M2.9X7.3 2SW390M 2SW390M2.9X7.3 2SW390MX 2SW470M 2SW470M2.9X7.3