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2SK4145-S19-AY
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
10080
NEC
TO-220
2024+
-
绝对装原现货

2SK4145-S19-AY
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
11639
RENESAS
23+
-
瑞智芯只做原装上传有货

2SK4145-S19-AY
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Renesas
原封装
最新批号
-
一级代理,原装正品现货！

2SK4145-S19-AY
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
58195
Renesas
N/A
19+
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瑞智芯只做原装

2SK4145-S19-AY
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
2300
RENESAS
TO-220
12+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

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2SK4145-S19-AY 技术参数

2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:720 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4125-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:610 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SK4125 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:610 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4124-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SK4124 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V

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