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2SK4094-1E

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  • 2SK4094-1E
    2SK4094-1E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ON

  • TO-220

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • 2SK4094-1E
    2SK4094-1E

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 50000

  • ON

  • TO-220

  • 21+

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  • 制造商
  • on semiconductor
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 逻辑电平栅极,4V 驱动
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 100A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 220nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 12500pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
  • 1.75W
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3
  • 供应商器件封装
  • TO-220-3
  • 标准包装
  • 50
2SK4094-1E 技术参数
  • 2SK4094 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:100 2SK4093TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 250V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 欧姆 @ 500mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 25V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:2,500 2SK4089LS 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4088LS-1E 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 2SK4088LS 功能描述:MOSFET N-CH 650V TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4125-1E 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221
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