2SK3800全国供应商【买卖IC网】2SK3800资料|PDF Datasheet|价格 Sanken

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK3800
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D2PAK/TO-263
25+
-
国产品牌，替代进口

2SK3800
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
300000
YXYBDT台湾
D2PAKTO-263
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

2SK3800
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANKEN
TO220S
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK3800VL-RP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
RENESAS
TO263
10+
-
全新原装现货

2SK3800
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
5000
sanken(三肯)
TO220S
0926+
-
专业分销sanken(三肯)，15810...

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功能描述
MOSFET N-CH 40V TO-220S
制造商
sanken
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
新产品
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
6 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
5100pF @ 10V
功率 - 最大值
80W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-220S
标准包装
1,000

2SK3800 技术参数

2SK3796-4-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:3,000 2SK3796-3-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3796-2-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:600μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:3,000 2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 隔离片供应商器件封装:TO-220 隔离的标片标准包装:200 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:470MHz 增益:12dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:32dBm 电压 - 额定:7.5V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E

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