2SD649AL-C-T60-K

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2SD649AL-C-T60-K
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3272
UTC
TO-126
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2SD649AL-C-T60-K 技术参数

2SD316EI-17 功能描述:GATE DVR P&P SCALE-1 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:10 2SD316EI-12 功能描述:GATE DVR P&P SCALE-1 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:10 2SD315AI-33 功能描述:IGBT DVR CORE 3300V 制造商:power integrations 系列:SCALE?-1 零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:- 驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:15V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:18A，18A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）标准包装:1 2SD315AI-25 功能描述:IGBT DVR CORE 2500V 制造商:power integrations 系列:SCALE?-1 零件状态:最後搶購驱动配置:半桥通道类型:- 驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:15V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:18A，18A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）标准包装:1 2SD315AI UL 功能描述:IC DUAL GATE DRIVER 18A 制造商:power integrations 系列:SCALE?-1 包装:托盘零件状态:不適用於新設計驱动配置:半桥通道类型:- 驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:15V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:18A，18A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:16 2SEPC1000MX+S 2SEPC100MZ 2SEPC100MZ+TSS 2SEPC2700M 2SEPC2700M+T 2SEPC330MW 2SEPC330MW+TSS 2SEPC330MZ 2SEPC330MZ+TSS 2SEPC390M 2SEPC390M+TSS 2SEPC470MZ 2SEPC470MZ+TSS 2SEPC560M 2SEPC560M+TSS 2SEPC560MW 2SEPC560MW+TSS 2SEPC560MX