2SD2166

配单专家企业名单

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说明
操作

2SD2166
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
12832
ROHM
TO-126
2024+
-
不怕你不买只怕你不问

2SD2166
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ROHM
TO-126
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

2SD2166
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
N/A
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

2SD2166-R
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3970
ROHM
TO-126
2008+
-
原装现货/特价

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1

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制造商
ROHM
制造商全称
Rohm
功能描述
Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

2SD2166 技术参数

2SD2153T100W 功能描述:TRANS NPN 25V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 20mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 500mA，6V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD2153T100V 功能描述:TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 20mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 500mA，6V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD2153T100U 功能描述:TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 20mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 500mA，6V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD2150T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:290MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD2150T100R 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:290MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD21850RL 2SD2185GRL 2SD2195T100 2SD2206(T6CANO,F,M 2SD2206(T6CNO,A,F) 2SD2206(TE6,F,M) 2SD2206,T6F(J 2SD2206A(T6SEP,F,M 2SD22100RL 2SD2211T100Q 2SD2211T100R 2SD2212T100 2SD2216G0L 2SD2216J0L 2SD22200RA 2SD22250RA 2SD2226KT146V 2SD2226KT146W