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2SD1816S-TL-E

配单专家企业名单
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  • 2SD1816S-TL-E
    2SD1816S-TL-E

    2SD1816S-TL-E

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • SANYO

  • SOT-252

  • 22+

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • SANYO

  • TO-252

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  • 2SD1816S-TL-E
    2SD1816S-TL-E

    2SD1816S-TL-E

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 700

  • ON SEMICONDUCTOR

  • 主营优势

  • 1837

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  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 2SD1816S-TL-E
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    2SD1816S-TL-E

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

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  • SANYO三洋

  • TO-252

  • 2202+

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  • 1/1页 40条/页 共23条 
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2SD1816S-TL-E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2SD1816S-TL-E 技术参数
  • 2SD1816S-H 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1816S-E 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1815T-TL-H 功能描述:TRANS NPN 100V 3A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1815T-TL-E 功能描述:TRANS NPN 100V 3A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1815T-H 功能描述:TRANS NPN 100V 3A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1819G0L 2SD1819GQL 2SD1819GRL 2SD1819GSL 2SD18200RL 2SD1820A0L 2SD1820ARL 2SD1820G0L 2SD1820GRL 2SD18210RL 2SD18230RL 2SD1823GRL 2SD18240RL 2SD18240SL 2SD1824GRL 2SD1824GSL 2SD1834T100 2SD1835S
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