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2SC3585-TIB

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2SC3585-TIB
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7866
NEC(R45)
SOT23
10+
-
绝对公司原装现货

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2SC3585-TIB 技术参数

2SC3585-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2SC3585-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC3583-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2SC3583-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 2SC3526H 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92L-A1 标准包装:200 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E 2SC3649S-TD-H 2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-H 2SC3665-Y(T2NSW,FM 2SC3665-Y,T2F(J 2SC3665-Y,T2NSF(J 2SC3665-Y,T2YNSF(J 2SC3668-O,T2CLAF(J 2SC3668-Y,F2PANF(J 2SC3668-Y,T2F(J 2SC3668-Y,T2F(M 2SC3668-Y,T2WNLF(J 2SC3669-Y(T2OMI,FM 2SC3669-Y,T2PASF(M 2SC3672-O(T2ASH,FM