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2SC3277-M(TO-3P10A 400V)D

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2SC3277-M(TO-3P10A 400V)D 技术参数
  • 2SC3265-Y,LF 功能描述:TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236 标准包装:1 2SC3264 功能描述:TRANS NPN 230V 17A MT200 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-ESIP 供应商器件封装:MT-200 标准包装:250 2SC3263 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5A，4V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,020 2SC3225,T6ALPSF(M 功能描述:TRANS NPN 2A 40V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，300mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 400mA，1V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:220MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SC3138-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANS NPN 200V 0.05A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，3V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236 标准包装:1 2SC3325-Y,LF 2SC3326-A,LF 2SC3326-B,LF 2SC3328-O,T6KEHF(M 2SC3328-Y,HOF(M 2SC3328-Y,T6CKF(J 2SC3332R 2SC3332R-AA 2SC3332S 2SC3332S-AA 2SC3332T 2SC3332T-AA 2SC3356-A 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B-R24-A 2SC3356-T1B-R25-A 2SC3357-A 2SC3357-T1-A
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