2SAR512P5 T100

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2SAR512P5 T100
深圳市晶美隆科技有限公司
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2SAR512P5 T100
深圳市华芯盛世科技有限公司
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2SAR512P5 T100 技术参数

2SAR502UBTL 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SAR502EBTL 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 2SAR340PT100Q 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR340PT100P 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR293PT100 功能描述:TRANS PNP 30V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SAR514PFRAT100 2SAR514PT100 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100 2SAR533PT100 2SAR542F3TR 2SAR542PFRAT100 2SAR542PT100 2SAR543DTL 2SAR543RTL 2SAR544P5T100