2SA2210全国供应商 2SA2210资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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价格
说明
操作

2SA2210
优势
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
TO-220F
2025+
-
国产品牌，可替代原装

2SA2210
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
SAY
PCS
22+
-
全新原装现货供应

2SA2210
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
50008
YXYBDT台湾
TO-220F
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

2SA2210-EPN-1EX
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

2SA2210
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220ML
SANYO
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
两极晶体管 - BJT BIP PNP 20A 50V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SA2210 技术参数

2SA2205-TL-E 功能描述:TRANS PNP 100V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:240mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SA2205-E 功能描述:TRANS PNP 100V 2A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:240mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SA2202-TD-E 功能描述:TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:240mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SA2199T2LR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A VMN3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，25mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-923F 供应商器件封装:VMN3 标准包装:8,000 2SA2186-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 2A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:430mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:420MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA733P 2SA733P_D26Z 2SA854STPQ 2SA854STPR 2SA933ASTPQ 2SA933ASTPR 2SA933ASTPS 2SA949-O(TE6,F,M) 2SA949-Y(JVC1,F,M) 2SA949-Y(T6JVC1,FM 2SA949-Y(T6ONK1,FM 2SA949-Y(T6SHRP,FM 2SA949-Y(TE6,F,M) 2SA949-Y,F(J 2SA949-Y,ONK-1F(J 2SA949-Y,ONK-1F(M 2SA965-O(TE6,F,M) 2SA965-O,F(J

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