2SA1955FVBTPL3Z全国供应商【买卖IC网】2SA1955FVBTPL3Z资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

2SA1955FVBTPL3Z
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百正品现货电话010-621049...

2SA1955FVBTPL3Z
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
35400
Toshiba Semiconductor and
SOT-723
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2SA1955FVBTPL3Z
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
26261
Toshiba
SOT-723-3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2SA1955FVBTPL3Z
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
40000
TOSHIBA S
1521+
-
全新原装现货

2SA1955FVBTPL3Z
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2815
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

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1

您是不是要找： 2SA1962-O(Q) 2SA1962OTU 2SA1962RTU 2SA1972,F(J 2SA1972,T6WNLF(J 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A 2SA1978-T1B-A

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制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
TRANSISTOR PNP VESM

2SA1955FVBTPL3Z 技术参数

2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SA1954BTE85LF 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SA1954-A(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SA1952TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SA1943RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 电压 - 集射极击穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:55 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:25 2SA2007E 2SA20090SL 2SA201000L 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E