2N7002KT7G

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2N7002KT7G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
onsemi
SOT-23-3
2025+
-

2N7002KT7G
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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2N7002KT7G 技术参数

2N7002KT3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10,000 2N7002K-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236 标准包装:1 2N7002KT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 2N7002K-T1-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 2N7002K-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:380mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 2N7002P,235 2N7002PM,315 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH 2N7002PS/ZLX 2N7002PT,115 2N7002PV,115 2N7002PW,115 2N7002T 2N7002T,215 2N7002-T1-E3 2N7002-T1-GE3 2N7002T-7 2N7002T-7-F 2N7002TA 2N7002TC 2N7002-TP