2N7002-R1

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说明
操作

2N7002-R1-00001
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
2947
PANJIT
12+
-
原装现货/特价

2N7002-R1
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4688
PANJIT/强茂
SOT23
2225+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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2N7002-R1 技术参数

2N7002PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:310mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 2N7002PV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:350mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 2N7002PT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:310mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 2N7002PS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 2N7002PS/ZLH 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 2N7002TQ-7-F 2N7002T-TP 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008