2N5109PBFREE

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2N5109PBFREE
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
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2N5109PBFREE 技术参数

2N5109 功能描述:TRANS RF NPN 20V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:1.2GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，15V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N5093 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5092 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5091 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5089TFR 功能描述:TRANS NPN 25V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5115-E3 2N5115JAN02 2N5115JTVL02 2N5115JTX02 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152