2N4119A全国供应商【买卖IC网】2N4119A资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N4119AE3
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
vishay
22+
-
行业低价，代理渠道

2N4119A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Siliconix
4L
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N4119A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
铁帽
2011
-
假一罚十，百分百原装正品

2N4119A
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
85561
Vishay Siliconix
TO-206AF, TO-72-4 Me
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2N4119A
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
4090
InterFET
TO-72-4
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

2N4119A
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
SILICONIX
QFP120L
13+
-
全新原装，现货，价优！

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功能描述
JFET 40V 0.2mA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2N4119A 技术参数

2N4118A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:80μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4118A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:80μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4118A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:80μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4117A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4117A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126 2N4126_S00Z 2N4126BU