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1N4742

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  • 制造商
  • Motorola Inc
  • 功能描述
1N4742 技术参数
  • 1N4741PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,500 1N4741PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:4,000 1N4741P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,500 1N4741P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:4,000 1N4741G R0G 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 16.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:5,000 1N4742A,113 1N4742A,133 1N4742A_S00Z 1N4742A_T50A 1N4742A_T50R 1N4742AE3/TR13 1N4742AHA0G 1N4742AHB0G 1N4742AHR0G 1N4742AHR1G 1N4742AP/TR12 1N4742AP/TR8 1N4742APE3/TR12 1N4742APE3/TR8 1N4742A-T 1N4742A-T50A 1N4742ATA 1N4742A-TAP
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