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1SS383T1G

配单专家企业名单
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  • 批号
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  • 1SS383T1G
    1SS383T1G

    1SS383T1G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!!

  • 1SS383T1G
    1SS383T1G

    1SS383T1G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ON

  •  

  • 2004

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1SS383T1G
    1SS383T1G

    1SS383T1G

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • ON

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • 1/1页 40条/页 共24条 
  • 1
1SS383T1G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • DIODE SCHOTTKY DUAL 40V SC82
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 二极管,整流器 - 阵列
  • 系列
  • -
  • 其它有关文件
  • STTH10LCD06C View All Specifications
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • -
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
  • 2V @ 5A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
  • 1µA @ 600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)
  • 5A
  • 电压 - (Vr)(最大)
  • 600V
  • 反向恢复时间(trr)
  • 50ns
  • 二极管类型
  • 标准
  • 速度
  • 快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置
  • 1 对共阴极
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装
  • D2PAK
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 产品目录页面
  • 1553 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • 497-10107-2
1SS383T1G 技术参数
  • 1SS383(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 1SS382TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82 供应商器件封装:* 标准包装:1 1SS381,L3F 功能描述:DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:1.2pF @ 6V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA,100MHz 功率耗散(最大值):- 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SS380TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0.5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 1SS379,LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对串联 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R 1SS400T1 1SS400T1G
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