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1SS226(TE85L,F)

配单专家企业名单
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  • 1SS226(TE85L,F)
    1SS226(TE85L,F)

    1SS226(TE85L,F)

    优势
  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 50254

  • TOSHIBA/东芝

  • SOT23-3

  • 21+

  • -
  • 网上批次 只做原装

  • 1SS226(TE85L,F)
    1SS226(TE85L,F)

    1SS226(TE85L,F)

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 23

  • TOSHIBA

  • con

  • 24+

  • -
  • 二极管

  • 1SS226(TE85L,F)
    1SS226(TE85L,F)

    1SS226(TE85L,F)

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • SOT23-3

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1SS226(TE85L,F)
    1SS226(TE85L,F)

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 63000

  • TOSHIBA

  • -
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  • 1SS226(TE85L,F)
    1SS226(TE85L,F)

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  • 东莞鼎岑科技有限公司
    东莞鼎岑科技有限公司

    联系人:

    电话:18925581989

    地址:广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室

  • 5003

  • TOSHIBA

  • SOT-23

  • 21+

  • -
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  • 1
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  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • 0.1A 80V S-Mini(1.5~2.9)
  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • 0.1A 80V S-Mini(1.5~2.9) Tape & Reel
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • Diode, switching, fast, S-MINI(SC-59), 1
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • Diode,Fast Recovery
1SS226(TE85L,F) 技术参数
  • 1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS190TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS300,LF 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17
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