1N5819(肖特基二极管1A40V)

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1N5819(肖特基二极管1A40V)
深圳市泽芯微科技有限公司
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MIC
DO-散装
2011 3 08
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1N5819(肖特基二极管1A40V) 技术参数

1N5819 TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N5819 R1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5819 R0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5819 BK 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:2,000 1N5819 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:600mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,000 1N5819HA0G 1N5819HB0G 1N5819HR0G 1N5819HR1G 1N5819HW1-7-F 1N5819HW-7 1N5819HW-7-F 1N5819M-13 1N5819RL 1N5819RLG 1N5819-T 1N5819-TP 1N5819UR-1/TR 1N5820 1N5820 A0G 1N5820 B0G 1N5820 R0G 1N5820-B