1N5627GP-E3/54全国供应商【买卖IC网】1N5627GP-E3/54资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5627GP-E3/54
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
GS
标准封装
08+
-

1N5627GP-E3/54
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
GS
标准封装
08+
-
全新原装100%正品保证质量

1N5627GP-E3/54
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
3000
N/A
new and original
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

1N5627GP-E3/54
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
2650
Vishay Semiconductors
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

1N5627GP-E3/54
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
9345
VISHAY SE
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
整流器 3.0 Amp 800 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N5627GP-E3/54 技术参数

1N5626-TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:7.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5626-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:7.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 1N5626GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,400 1N5626GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:* 零件状态:停產标准包装:2,000 1N5626GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5631A 1N5632 1N5632A 1N5633 1N5633A 1N5634 1N5634A 1N5635 1N5635A 1N5636 1N5636A 1N5637 1N5637A 1N5637A/TR 1N5637AE3 1N5637AE3/TR 1N5638 1N5638A