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1N5550 技术参数

1N5546BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5546B 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:113 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5545BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5545B 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:112 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5544BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5552US/TR 1N5553 1N5553C.TR 1N5553US 1N5554 1N5554C.TR 1N5554US 1N5554US/TR 1N5555 1N5556 1N5557 1N5558 1N5610 1N5611 1N5613 1N5614 1N5614GP-E3/54 1N5614GP-E3/73

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