1N4614

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4614-1JANTXV
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
0
97
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

1N4614
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
1186
MICROSEMI
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

1N4614
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
PH/VIS/MC
DO-35
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N4614-1JTXV
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
7
MSC
-
公司现货,只做原装！

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1

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功能描述
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4614 技术参数

1N4608 功能描述:DIODE SW 85V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 400mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:10ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4607 功能描述:DIODE SW 85V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 400mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:10ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N459TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N459-T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:最後搶購二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）基本零件编号:1N459 标准包装:1 1N459ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N4616 TR 1N4616-1 1N4616UR 1N4617 BK 1N4617 TR 1N4617-1 1N4617UR 1N4618 BK 1N4618 TR 1N4618-1 1N4618UR 1N4619 BK 1N4619 TR 1N4619-1 1N4619UR 1N4620 BK 1N4620 TR 1N4620-1