1N459ATR全国供应商 1N459ATR资料|PDF Datasheet|价格【Fairchild 飞兆半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N459ATR
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
FAIRCHILD
原厂原封装
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

1N459ATR
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
125258
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
NA
11+
-
125258

1N459ATR
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
20000
FAIRCHILD
2015+
-
公司现货!只做原装!

1N459ATR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
FAIRCHILD
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N459ATR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
10000
FSC
Standard
2024+
-
诚诺原装现货

1N459ATR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

1N459ATR
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
23794
Fairchild Semiconductor
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

1N459ATR
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10000
FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

1/1页 40条/页共22条
1

您是不是要找： 1N459-T50R 1N459TR 1N4607 1N4608 1N4614 BK 1N4614 TR 1N4614-1 1N4614UR 1N4615 BK

1N459ATR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N459ATR PDF下载

功能描述
整流器 High Conductance Low Leakage
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N459ATR 技术参数

1N459A_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N459A_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N459A_L99Z 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:6pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N459A 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4596R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）电流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3.5mA @ 1400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AA，DO-8，接线柱供应商器件封装:DO-205AA（DO-8）工作温度 - 结:-60°C ~ 200°C 标准包装:10 1N4615 TR 1N4615-1 1N4615UR 1N4616 BK 1N4616 TR 1N4616-1 1N4616UR 1N4617 BK 1N4617 TR 1N4617-1 1N4617UR 1N4618 BK 1N4618 TR 1N4618-1 1N4618UR 1N4619 BK 1N4619 TR 1N4619-1