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1N4107UR-1
深圳市瑞智芯科技有限公司
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Microchip
瑞智芯只有原装
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1N4107UR-1/TR
深圳市百润电子有限公司
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1N4107UR-1
科创特电子（香港）有限公司
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联系人：柯
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MICROSEMI
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1N4107UR 技术参数

1N4107-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4107 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 13V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.87V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4107 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4106UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4106UR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.12V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4110 1N4110 (DO35) 1N4110-1 1N4110UR 1N4110UR-1 1N4111 (DO35) 1N4111-1 1N4111UR 1N4111UR-1 1N4112 1N4112 (DO35) 1N4112UR 1N4112UR-1 1N4113 1N4113 (DO35) 1N4113-1 1N4113UR 1N4113UR-1