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深圳市华芯盛世科技有限公司
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1N120B 技术参数

1N1206R 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1206C 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1206BR 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1206B 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1206AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1343C 1N1344 1N1344A 1N1344B 1N1344C 1N1345 1N1345A 1N1345B 1N1345C 1N1346 1N1346A 1N1346B 1N1346C 1N1347 1N1347A 1N1347B 1N1347C 1N1348